Giáo án Vật lý 11 NC - Tiết 37, 38 - Dòng điện trong chất bán dẫn

G/V : Đỗ Quang Sơn

 Tiết 37+38

 Bài : dòng điện trong chất bán dẫn

 A. mục tiêu

 Hiểu được các tính chất điện đặc biệt của bán dẫn làm cho nó được xếp vào một loại vật dẫn riêng, khác với các vật dẫn quen thuộc là kim loại.

 Hiểu được các hạt tải điện là electron tự do và lỗ trống là cơ chế tạo thành các hạt tải điện đó trong bán dẫn tinh khiết.

 Hiểu được tác dụng của vật chất có thể làm thay đổi một cách cơ bản tính chất điện của bán dẫn. Bằng cách pha tạp chất thích hợp, người ta có thể tạo nên bán dẫn loại n và loại p và nồng độ hạt tải mong muốn.

 Hiểu được sự hình thành lớp chuyển tiếp p – n và giải thích được tính chất chỉnh lưu của lớp chuyển tiếp p – n.b. chuẩn bị

 Giáo viên . mẫu bán dẫn , điốt bán dẫn , tran rito , một số hình vẽ và hệ thống câu hỏi

 Học sinh

 Ôn kĩ điều kiện để có dòng điện,bản chất của dòng điện trong các môi trường đã học

C.tiến trình dạy học

 

 

doc5 trang | Chia sẻ: thanhthanh29 | Lượt xem: 377 | Lượt tải: 0download
Bạn đang xem nội dung tài liệu Giáo án Vật lý 11 NC - Tiết 37, 38 - Dòng điện trong chất bán dẫn, để tải tài liệu về máy bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
Ngµy so¹n :10/01/08 G/V : §ç Quang S¬n TiÕt 37+38 Bµi : dßng ®iƯn trong chÊt b¸n dÉn A. mơc tiªu Hiểu được các tính chất điện đặc biệt của bán dẫn làm cho nó được xếp vào một loại vật dẫn riêng, khác với các vật dẫn quen thuộc là kim loại. Hiểu được các hạt tải điện là electron tự do và lỗ trống là cơ chế tạo thành các hạt tải điện đó trong bán dẫn tinh khiết. Hiểu được tác dụng của vật chất có thể làm thay đổi một cách cơ bản tính chất điện của bán dẫn. Bằng cách pha tạp chất thích hợp, người ta có thể tạo nên bán dẫn loại n và loại p và nồng độ hạt tải mong muốn. Hiểu được sự hình thành lớp chuyển tiếp p – n và giải thích được tính chất chỉnh lưu của lớp chuyển tiếp p – n. b. chuÈn bÞ Gi¸o viªn . mÉu b¸n dÉn , ®ièt b¸n dÉn , tran rito , mét sè h×nh vÏ vµ hƯ thèng c©u hái Häc sinh ¤n kÜ ®iỊu kiƯn ®Ĩ cã dßng ®iƯn,b¶n chÊt cđa dßng ®iƯn trong c¸c m«i tr­êng ®· häc C.tiÕn tr×nh d¹y häc Ho¹t ®éng1 : TÝnh chÊt dÉn ®iƯn cđa b¸n dÉn Ho¹t ®éng cđa thÇy Ho¹t ®éng cđa trß Tính chất điện của bán dẫn Gv : Cho học sinh thấy rõ các tính chất đặc trưng của bán dẫn và sự khác biệt của bán dẫn so với vật liệu điện đã quen thuộc như kim loại ,điện môi. Cần nhấn mạnh sự giảm rõ rệt của điện trở suất bán dẫn khi nhiệt độ tăng và ảnh hường mạnh của tạp chất ( loại tạp chất và lượng tạp chất) lên tính chất dẫn điện của bán dẫn (loại hại tải điện và số lượng hạt tải, điện trở suất). Cần nêu các tính chất này để chuẩn bị cho việc giải thich chúng trong các phần sau. Cá nhân suy nghĩ. Giới thiệu Ghi nhớ. Bán dẫn điển hình và được dùng phổ biến nhất là silic (Si). Ngoài ra, còn có các bán dẫn đơn chất khác như Ge, Se, các bán dẫn hợp chất nhu GaAs, CdTe,ZnS . Nhiều ôxit, sunfua, sêlenua, telurua Tính chất khác biệt so với kim loại. Điện trở suất r của bán dẫn có giá trị trung gian giữa kim loại và điện môi (hình 43,1) Điện trở suất của bán dẫn giảm mạnh khi nhiệt độ tăng (hình 43.2). Do đó ở nhiệt độ thấp, bán dẫn dẫn điện rất kém (giống như điện môi), còn ở nhiệt độ cao, bán dẫn dẫn điện khá tốt (giống như kim loại). Tính chất điện của bán dẫn phu thuộc rất mạnh vào các tạp chất có mặt trong tinh thể. Ho¹t ®éng2 :Sù dÉn ®iƯn cđa b¸n dÉn tinh khiÕt Ho¹t ®éng cđa thÇy Ho¹t ®éng cđa trß Sự dẫn điện của bán dẫn tinh khiết Khi khảo sát sự dẫn điện của bán dẫn,cầm làm cho học sinh hiểu trong bán dẫn có hai loại hạt tải điện, đó là electron tự do và lỗ trống. Cơ chế hình thành các hạt tải điện trong bán dẫn cần được làm rõ, vì đây chính là nguồn gốc của sự khác biệt của bán dẫn và kim loại. Bán dẫn mà ta xét là những vật rắn có cấu tạo tinh thể. Căn cứ vào cấu tạo tinh thể của bán dẫn silic, có thể thấy là ở nhiệt độ thấp, electron bị liên kết chặt chẽ với nguyên tử và do đó không có electron tự do; vì vậy bán dẫn là một điện môi. Ơû đây có thể liên hệ với các kiến thức hoá học : Khi lớp điện tử ngoài cùng là lớp đầy, thì nguyên tử rất khó tham gia các phản ứng hóa học, tức là ít có khả năng mất bớt hay nhận thêm electron. Chính sự kết hợp của các nguyên tử silic thành tinh thể Si thông qua các mối liện kế cộng hóa trị đã tạo nên tính huống là quanh mỗi nguyên tử Si dường như có 8 electron, tức là có một lớp electron đầy. Muốn bực electron ra khỏi nguyên tử để thành eclectron tự do, tham giavào sự dẫn điện, thì cần tốn năng lượng. Có thể tăng năng lượng bằng cách tăng nhiệt độ của tinh thể, tức là làm tăng nội năng của nó. Do vậy, khi nhiệt độ trên OK, đã có một vài eclectron thu được năng lượng cần thiết. Nhiệt độ càng cao, càng có nhiều electron thoát khỏi liện kết. Gi¶i thÝch vµ yªu cÇu h/s hiĨu -Khi không có điện trường ngoài đặt vào tinh thể bán dẫn : các electron và lỗ trống chuyển động nhiệt hỗn loạn Þ trong bán dẫn không có dòng điện. - Khi có điện trường ngoài đặt vào tinh bán dẫn : các electron chuyển động ngược chiều điện trường, còn lỗ trống chuyển động theo chiều điện trường Þ trong bán dẫn có dòng điện. HiĨu ®­ỵc : Cấu tạo : Chất bán dẫn có cấu tạo sao cho trong mạng tinh thể chỉ có một loại nguyên tử . Khảo sát sự dẫn điện của bán dẫn Si Cấu tạo bán dẫn Si : Lớp êlectron ngoài cùng của nguyên tử Si có bốn êlectron Trong tinh thể, mỗi nguyên tử Si liên kết với bốn nguyên tử nguyên tử lân cận thông qua các liên kết cộng hoá trị. Như vậy, xung quanh mỗi nguyên tử Si có tám êlectron, tạo thành lớp êlectron đầy Þ liên kết giữa các nguyên tử trong tinh thể Si rất bền vững Sự hình thành các hạt mạng điện Hạt mang điện tự do : - Ở nhiệt độ thấp, các liên kết cộng hóa trị trong mạng tinh thể của chất bán dẫn tinh khiết rất bền nên không có hạt mang điện tự do. - Ở nhiệt độ cao, một số liên kết cộng hóa trị trong mạng tinh thể của chất bán dẫn tinh khiết bị phá vỡ, giải phóng một số electron và để lại một số lỗ trống mang điện tích dương. Kết luận : Ở nhiệt độ cao hạt mang điện tự do trong chất bán dẫn tinh khiết là electron và lỗ trống mang điện tích dương. Bản chất dòng điện trong chất bán dẫn tinh khiết : Kết luận : Dòng điện trong bán dẫn tinh khiết là dòng chuyển dời có hướng đồng thời của các electron và lỗ trống dưới tác dụng của điện trường ngoài. Ho¹t ®éng 3: Sù dÉn ®iƯn cđa b¸n dÉn cã t¹p chÊt Ho¹t ®éng cđa thÇy Ho¹t ®éng cđa trß Khi tạp chất có mặt trong tinh thể, tính chất liên kết của nguyên tử hợp chất khác với liên kết của các nguyên tử bán dẫn chủ. Điều đó có thể dẫn đến sự tạo thành điện tử electron tự do hoặc lỗ trông tùy theo loại tạp chất. Tong SGK, ta xét hai trường hợp điển hình và hay gặp nhất đó là bán dẫn Si pha với P với B. từ đây, GV làm cho học sinh hiểu được rằng, tạp chất làm hình thành các hạt tải chỉ thuộc một loại, mà không phải là cặp electron lỗ trống như trong bán dẫn tinh khiết. Cần chú ý rằng trong các trương hợp thông thường, khi ta xét ở nhiệt độ phòng, thì trong bán dẫn đã có electron tự do và lỗ trống được tạo thành, gây nên sự dẫn điện riêng của bán dẫn. Tuy nhiên, với bán dẫn Si thì ở nhiệt độ phòng, nồng độ electron rỗng và nồng độ do sự dẫn điện riêng là rất thấp. Chính vì vậy mà chỉ cần một lượng tạp chất rất nhò, thì số hạt tải một số nào đó tăng lên nhiều lần so với số hạt tải loại loại đó trong sự dẫn điện riêng. Kết qủa là số hạt tải loại này lớn hơn rất nhiều so với loại hạt tải trái dấu với nó, và trở thành hạt tải điện đa số. Để hiễu về điều này một cách định lượng, có thể sử dụng và khai thác bài tập 1 Bán dẫn loại n : Giả sử pha vào tinh thể silic một lượng rất nhỏ các nguyên tử P. Nguyên tử P có 5 electron ở lớp ngoài cùng, 4 electron trong số đó tham gia vào liên kết cộng hóa trị với 4 nguyên tử silic ở gần còn electron thứ 5 của P thì liên kết rất yếu với hạt nhân và dễ dàng tách khỏi nguyên tử để trở thành electron tự do. Kết quả : - Mật độ electron rất lớn so với mật độ lỗ trống Þ bán dẫn loại n. - Trong bán dẫn loại n hạt mang điện cơ bản là electron, còn lỗ trống là hạt mang điện không cơ bản. Bán dẫn loại p : Giả sử pha vào tinh thể silic một lượng rất nhỏ các nguyên tử B. Nguyên tử B có 3 electron ở lớp ngoài cùng, 3 electron này tham gia vào liên kết cộng hóa trị với 3 nguyên tử silic ở gần. Vậy nguyên tử B còn thiếu 1 electron để tham gia vào liên kết với nguyên tử silic ở gần. Do đó nó sẽ chiếm 1 electron của 1 nguyên tử gần nhất, electron vừa đi ra đã để lại sau nó 1 lỗ trống. Kết quả : - Mật độ lỗ trống rất lớn so với mật độ electron Þ bán dẫn loại p. - Trong bán dẫn loại p, hạt mang điện cơ bản là lỗ trống còn electron là hạt mang điện không cơ bản. Ho¹t ®éng4 :Líp chuyĨn tiÕp p-n Ho¹t ®éng cđa thÇy Ho¹t ®éng cđa trß Lớp chuyển tiếp p – n Khi khảo sát sự hình thành lớp chuyểp tiếp p – n, cẩn đặc biệt nhấn mạnh đến sự khác nhau về nồng độ electron và lỗ trống ở hai bên lớp chuyển tiếp. Chính sự chênh lệch nồng độ đã dẫn đến sự khếch tán ưu tiên của mỗi loại hạt tải theo một chiều : lỗ trống từ phía bán dẫn p sang phía n, electron từ phía n sang phía p. sự khếch tán theo chiều ngược nhau của hai loại mang điện tích trái dấu dẫn đến sự hình thành điện trường trong ở lớp chuyển tiếp, có tác dụng ngăn cản sự khếch tán. Điện trường tron đạt giá trị ổn định khi hai xu hướng cân bằng nhau. Ơû hai bên lớp chuyển tiếp được mắc vào nguồn điện ngoài, trạng thái cân bằng bị thay đổi. Nếu lớp chuyển tiếp được phân cực thuận, sự chuyển động của các hạt tải cơ bản qua lớp chuyển tiếp được tăng cường, tạo nên dòng điện thuận có cường độ lớn. Nếu lớp chuyển tiếp được phân cực ngược, sự chuyển động của các hạt tải cơ bản qua lớp chuyển tiếp được tăng cường, nhưng cường độ dòng điện ngược là rất nhỏ. Vậy lớp chuyển tiếp chỉ dẫn điện một cách đáng kể theo nột chiều. Khi giảng về đường đặc trưng Vôn – Ampe, của lớp chuyển tiếp p – n, cần giải thích cho học sinh biết nó cho ta những thông tin gì về độ lớn và chiều của dòng điện qua lớp chuyển tiếp, qua đó nói về tác dụng chỉnh lưu của lớp chuyển tiếp. Có thể cho học sinh biết qua về cách xác định đường đặc trưng Vôn – Ampe bằng thực nghiệm. Điều này sẽ được tìm hiểu kĩ hơn và được thực hiện trong bài thực hành bài 46 Giíi thiƯu ®Ĩ h/s thÊy Khảo sát sự biến thiên của cường độ dòng điện theo hiệu điện thế, ta có thể thu được đường đặc trưng vôn ampe của lớp chuyển tiếp p-n như trên hình 43.10 . Sự hình thành lớp chuyển tiếp p - n Khi có 2 loại bán dẫn p và n đặt tiếp xúc nhau thì có sự khuyếch tán electron tự do từ phần bán dẫn n sang p và lỗ trống khuyếch tán từ phần bán dẫn p sang n, kết quả là ở mặt phân cách giữa 2 bán dẫn hình thành một lớp tiếp xúc tích điện dương về phía bán dẫn n và tích điện âm về phía bán dẫn p. Do đó trong lớp tiếp xúc có điện trường E hướng từ n sang p làm ngăn cản sự khuyếch tán của các hạt mang điện. Do có sự khuyếch tán nói trên nên số hạt mang điện cơ bản ở sát hai bên của lớp tiếp xúc giảm đi nên điện trở của lớp tiếp xúc rất lớn. Dòng điện qua lớp chuyển tiếp p-n : - Khi nối bán dẫn loại p vào cực dương, bán dẫn loại n vào cực âm của nguồn điện. Điện trường E do nguồn điện tạo ra hướng từ p sang n làm cho hạt mang điện cơ bản di chuyển qua lớp tiếp xúc, nên có dòng điện thuận qua lớp tiếp xúc. - Khi nối bán dẫn loại n vào cực dương, bán dẫn loại p vào cực âm của nguồn điện. Điện trường E do nguồn điện tạo ra hướng từ n sang p làm cho hạt mang điện cơ bản không di chuyển qua lớp tiếp xúc, chỉ có hạt mang điện không cơ bản đi qua lớp tiếp xúc tạo ra dòng điện có cường độ rất nhỏ gọi là dòng điện ngược. Kết luận : Lớp tiếp xúc p-n chỉ dẫn điện theo một chiều từ p sang n. b.Đặc trưng vôn-ampe của lớp chuyển tiếp p-n Tính chất của lớp chuyển tiếp p-n được ứng dụng trong nhiều dụng cụ bán dẫn như điôt, tranzitoÏ Ho¹t ®éng5 : Cđng cè vËn dơng Ho¹t ®éng cđa thÇy Ho¹t ®éng cđa trß Yêu cầu nhắc lại : Nhấn mạnh các nội dung quan trọng . Trả lời câu hỏi và làm bài tập SGK Chuẩn bị bài mới” Dụng cụ bán dẫn “ Ho¹t ®éng 6: H­íng dÉn bµi vỊ nhµ Ho¹t ®éng cđa thÇy Ho¹t ®éng cđa trß -. Yªu cÇu h/s : lµm c¸c bµi tËp tr120/sgk - Ghi nhí c«ng viƯc vỊ nhµ

File đính kèm:

  • docBAT-37+38VL11NC.doc
Giáo án liên quan